Die Femtosekunden-Optik ermoglicht heutzutage die Charakterisierung von Hochfrequenzschaltungen im Zeitbereich mit einer Bandbreite, die sich bis in den Terahertz-Bereich erstreckt. Diese Messtechnik bildet die Grundlage fur kunftige Charakterisierungsmethoden von elektronischen Terahertz-Schaltungen. Im Allgemeinen basiert die Charakterisierung von elektrischen Schaltungen im Zeitbereich auf der Erzeugung und dem Nachweis von ultrakurzen Spannungsimpulsen. In dieser Arbeit wird die Erzeugung von ultrakurzen Spannungsimpulsen mit photoleitenden Schaltern und deren Nachweis mittels des elektro-optischen Effekts in GaAs und LiTaO3 Probern ausfuhrlich untersucht. Die bestehenden Techniken werden mit dem Ziel weiterentwickelt, ihr bisheriges Einsatzgebiet zu vergrossern. Die Erzeugung und der Nachweis von (Sub-) Pikosekunden-Spannungsimpulsen ist auf planare Strukturen beschrankt. Sollen elektrische Schaltungen mit koaxialem Eingang charakterisiert werden, mussen die Spannungsimpulse von planaren Wellenleitern auf koaxiale Strukturen transferiert werden. Fur diese Aufgabe werden vorwiegend Mikrowellenprober verwendet. In dieser Arbeit wird die Propagation von ultrakurzen Spannungsimpulsen uber einen Mikrowellenprober, der auf eine koplanare Wellenleitung aufgesetzt ist, untersucht. Eine Messung der Propagationseigenschaften der koplanaren Wellenleitung und ein Vergleich der Messergebnisse mit analytischen und numerischen Rechnungen liefert eine hervorragende Ubereinstimmung. Die experimentelle Technik dieser Arbeit wird somit validiert. Die Dampfung und Dispersion des Mikrowellenprobers, sowie die komplexen Reflexions- und Transmissionskoeffizienten der Stossstelle zwischen Mikrowellenprober und Wellenleitung, werden experimentell bis zu einer Frequenz von 400 GHz bestimmt. Es wird gezeigt, dass einfache analytische Ausdrucke die gemessenen Ubertragungsfunktionen des Mikrowellenprobers und der Stossstelle sehr gut beschreiben. Mit diesen Ergebnissen wird die Verformung eines ultrakurzen Spannungsimpulses nach Propagation uber den Mikrowellenprober berechnet. Ein solches Vorgehen wird in Zukunft zeitbasierte Messungen mit Mikrowellenprobern sehr vereinfachen. Die am koaxialen Ende des Mikrowellenprobers vorliegenden Spannungsimpulse, mit einer typischen Breite von 4,5 ps, werden fur eine vollstandige Charakterisierung von 50 GHz Sampling-Oszilloskopen verwendet. Die Oszilloskope haben Eigenanstiegszeiten von 6 ps bis 8 ps. Die erweiterte Messunsicherheit der Anstiegszeitmessung betragt nur 1,2 ps. Zur Erzeugung von ultrakurzen Spannungsimpulsen werden derzeit vorwiegend photoleitende Schalter eingesetzt. Eine genaue Kenntnis der Ladungstrager- und Felddynamik in solchen photoleitenden Schaltern ist von entscheidender Bedeutung fur kunftige Optimierungsprozesse. In dieser Arbeit werden inhomogene elektrische Felder generiert, um den Photostrom in photoleitenden Schaltern zu modifizieren. Die Experimente dieser Arbeit beweisen, dass die raumliche Inhomogenitat der Ladungstragerverteilung die Generation von elektrischen Signalen beeinflusst. Des Weiteren wird eine neue Methode zur Messung von elektrischen Feldern in Halbleitern prasentiert. Fur diese Messung werden breitbandige Laserimpulse benotigt, um uber Franz-Keldysh-Oszillationen im Absorbtionsspektrum zu integrieren. Die Photonenenergie der Laserimpulse ist dabei grosser als der Bandabstand des Halbleitermaterials. Mit dieser Technik wird der Abschirmungsprozess und die damit verbundene Umverteilung des elektrischen Feldes in photoleitenden Schaltern untersucht. In einem weiteren Teil dieser Arbeit wird eine experimentelle Methode aufgezeigt, die es ermoglicht, die zeitabhangige Driftgeschwindigkeit eines Ladungstragerensembles in sich zeitlich verandernden elektrischen Feldern zu messen. Die Technik basiert auf der raumlich aufgelosten Analyse von Photolumineszenzbildern zu verschiedenen Zeiten nach der optischen Anregung. Mit dieser Methode kann die Verweilzeit von Ladungstragern in photoleitenden Schaltern gemessen werden. Die Verweilzeit bestimmt die Repetitionsrate von solchen Bauteilen und ist daher ein essentieller Parameter. Die Messtechnik, die in dieser Arbeit vorgestellt wird, ist wichtig fur kunftige Optimierungsprozesse von photoleitenden Schaltern in Bezug auf Repetitionsrate und Amplitude des generierten Spannungsimpulses.