Die Transistordichte auf einem Computerchip verdoppelt sich in etwa alle 2 Jahre, wie es das Mooresche Gesetz vorhersagt. Diese Miniaturisierung fuhrt zu immer schnelleren und effizienteren Mikroprozessoren, welche das Leben in allen moglichen Bereichen maßgeblich beeinflussen. Fruher oder spater wird diese, auf elektrischer Datenubertragung basierende Technologie, an den Punkt kommen, an dem physikalische Grenzen wie Leckstrome oder Warmeentwicklung einer weiteren Miniaturisierung im Wege stehen. Um dann weitere Verbesserung gewahrleisten zu konnen, mussen alternative Technologien genutzt werden. Ein Ansatz dafur besteht darin, die Datenubertragung auf optischem Wege zu realisieren. Dafur muss die auf Silizium basierende Elektronik mit der Lasertechnik kombiniert werden. Dies gestaltet sich jedoch schwierig, da Silizium selbst kein Lasermaterial ist und obendrein im Vergleich zu allen gangigen Lasermaterialien eine stark unterschiedliche Gitterkonstante besitzt, wodurch verhindert wird, dass diese auf Silizium gewachsen werden konnen. Seit kurzem wird verstarkt an dem neuen Halbleitermaterialsystem Ga(NAsP) geforscht, welches gitterangepasst auf Silizium gewachsen werden kann und in dem elektrisch gepumptes Lasing bis 160 K nachgewiesen wurde. Das zeigt, dass das Materialsystem, bereits zu diesem fruhen Entwicklungszeitpunkt großes Potenzial besitzt, den Durchbruch hin zu sogenannten Optoelectronic Integrated Circuits (OEICs) zu schaffen. Meine Dissertation befasst sich mit der optischen Charakterisierung und der Optimierung dieses neuen Halbleiter-Lasermaterials. Dafur wurden zeit-, temperatur- und energieaufgeloste Photolumineszenzmessungen durchgefuhrt um eine Vielzahl von Proben zu analysieren. Somit konnte der Einfluss verschiedenster Parameter auf die optische Qualitat des Materials durch gezielte Vergleiche der Messreihen untersucht werden. Zusatzlich wurde die optische Strichlangenmethode angewendet, um die Verstarkungsfahigkeit der Proben zu ermitteln, welche die wichtigste Eigenschaft eines Lasermaterials darstellt. Die gemessenen Verstarkungswerte bei Raumtemperatur von bis zu 100 cm-1 liegen in der Großenordnung der heute kommerziell erhaltlichen Laser. Das unterstreicht das enorme Potenzial von Ga(NAsP). Fur die weitere Optimierung sind Messungen an fertig prozessierten Laserdioden wichtig, um zum Beispiel den α-Faktor zu bestimmen, welcher das Zusammenspiel zwischen Verstarkung und Brechungsindex beschreibt und eine sehr wichtige Große darstellt. Da fur diese Messungen keine funktionierenden Dioden vorlagen, wurden in dieser Arbeit alternative Messmethoden gesucht, und insbesondere die moglichen Ansatze der Holographie zur Halbleitercharakterisierung analysiert. Die digitale Holographie ist ein herausragendes Werkzeug, wenn es darum geht, Oberflachen zu vermessen. Die Hologramme werden mittels einer digitalen Kamera aufgenommen und im Folgenden numerisch rekonstruiert, wodurch sie, wegen der holographischen Natur der Aufnahme, direkten Zugang zur Amplitude und Phase des Wellenfeldes bieten. Dies eroffnet die Moglichkeit den α-Faktor zu bestimmen, da die Detektion der Amplitude und der Phase Ruckschlusse auf die Verstarkung und den Brechungsindex bietet. Exemplarische Messungen wurden an einer Trapezverstarkerdiode durchgefuhrt und es konnte experimentell nachgewiesen werden, dass die digitale Holographie mehr als geeignet fur diese Messung ist. Wird in Reflexion gemessen, so ermoglicht die Phaseninformation, Tiefenauflosungen im nm-Bereich. Diese Eigenschaft wurde ausgenutzt, um durch thermische Effekte erzeugte Deformationen bzw.